| 型号： | BSO604NS2 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 55V DSO-8 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| BSO604NS2 PDF |  |
| 产品目录绘图 | Mosfets DSO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 30µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | P-DSO-8 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1617 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BSO604NS2DKR |